N-MOSFET-транзистор IRFZ34N - THT - 5 шт.

Опис продукту: N-MOSFET транзистор IRFZ34N - THT - 5 шт.

N-MOSFET-транзистор у корпусі TO220. Схема має такі параметри:VDSS 55 В, Id 29 А та опір 0,040 Ом.Елемент, призначений для складання THT через наскрізний отвір.

Технічні характеристики N-MOSFET-транзистора IRFZ34N

• Максимальний струм стоку Id: 29 А
• Максимальна напруга VDSS: 55 В
• Опір каналу Rdson: 0,040 Ом
• Корпус: TO-220

N-MOSFET-транзистор IRFZ34N - THT.

Товари продаються упаковками по 5 штук.

N-MOSFET-транзистор IRFZ34N - THT 5 шт.

Комплект містить п'ять N-MOSFET-транзисторів IRD34 N. Це компоненти наскрізного монтажу (THT), розміщені у стандартних корпусах TO-220 з трьома виводами та стандартним кроком 2,54 мм. Це дозволяє використовувати транзистори без паяння до макетної плати, наприклад, для швидкого прототипування або під час вивчення електроніки.

Транзистори були розроблені та виготовлені компанією International Rectifier, відомим американським брендом, що спеціалізується на створенні різноманітних електронних компонентів. Детальну інформацію щодо умов експлуатації продукту можна знайти в технічній документації виробника, яку можна знайти в розділі «Корисні посилання» під описом.

Практичний набір THT N-MOSFET транзисторів IRFZ34N

Цей набір із п'яти N-MOSFET транзисторів IRFZ34N THT – чудовий вибір для інженерів-електроніків, які часто створюють прототипи та реалізують проекти з використанням цього типу компонентів. Кожен блок має маркування, що зменшує ризик плутанини з іншими компонентами, що використовують той самий корпус TO-220.

Ми також пропонуємо багато інших моделей транзисторів для наскрізного та поверхневого монтажу. Ми також пропонуємо широкий вибір інших електронних компонентів та аксесуарів, таких як діоди, резистори, кабелі, роз'єми, датчики, дроселі, інтегральні схеми тощо.