P-MOSFET-транзистор IRF9Z34 - THT - 5 шт.

Опис продукту: P-MOSFET-транзистор IRF9Z34 - THT - 5 шт.

Уніполярний P-MOSFET-транзистор IRF9Z34. Максимальна напруга VDSS транзистора становить -55 В, а струм його стоку — максимум -19 А. Схема розміщена в корпусі TO-220 з наскрізним THT.

P-MOSFET IRF9Z34 THT транзистор – 5 шт. – ефективний контроль струму

P-MOSFET IRF9Z34 THT транзисторце висококласний електронний компонент, розроблений для вимогливих додатків. Використання цього елемента дозволяє ефективно контролювати струм в різних додатках і системах. Це тип польового транзистораP-MOSFET, який характеризується насамперед дуже низьким значенням опору провідності в насиченому стані. На практиці це означає, що він може проводити дуже великі струми, зберігаючи при цьому низькі втрати потужності.

Які переваги транзистора IRF9Z34 THT P-MOSFET?

ТранзисторP-MOSFETIRF9Z34 оснащений корпусом THT («Through-Hole Technology»), що робить його установку на друкованій платі дуже простою. Для цього просто протягніть проводи через отвори, а потім припаяйте їх до іншої сторони плати. Ще однією великою перевагою є його компактний розмір і висока ефективність по струму з низьким опором. Це робить його ідеальним вибором для керування потужними навантаженнями в різноманітних електронних проектах. Крім того, є також висока механічна міцність, довговічність, ефективність і тривалий термін служби. Транзистор IRF9Z34 THT ідеально підійде як професіоналам, так і людям, які тільки роблять перші кроки в світі електроніки, автоматики та робототехніки. Перед використанням цього компонента радимо ознайомитися з усіма рекомендаціями виробника щодо зберігання, встановлення та експлуатації.

Характеристики транзистора IRF9Z34

• Максимальний струм стоку Id: - 19 А 
• Максимальна напруга VDSS: - 55В
• Опір каналу Rds_(він):  0,1 Ом
• Корпус: TO-220

Деталі в документації.